Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
M. Jungwirth, A. Dervic, H. Zimmermann:
"Integrated High Voltage Active Quenching Circuit in 150nm CMOS Technology";
Vortrag: Austrochip,
Wien;
07.10.2020; in: "2020 Austrochip Workshop on Microelectronics",
(2020),
ISBN: 978-1-7281-8493-7;
4 S.
Kurzfassung englisch:
An integrated high voltage active quenching circuit (AQC) in a 150 nm high voltage CMOS technology is presented. The circuit is designed for off-chip single-photon avalanche diodes (SPAD) with parasitic capacitance up to 5 pF. With the high voltage lateral double-diffused MOSFETs (LDMOS) the circuit is able to apply excess bias voltages up to 35 V. The excess bias voltage for the SPAD is adjustable from
5 V up to 35 V and retains a constant quenching time of 2.2 ns at a SPAD capacitance of 5 pF.
Schlagworte:
SPAD, CMOS, high voltage, active quenching circuit, AQC, quenching circuit
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/Austrochip51129.2020.9232988
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.