Vorträge und Posterpräsentationen (mit Tagungsband-Eintrag):
K. Schneider-Hornstein, M. Hofbauer, B. Steindl, H. Zimmermann:
"Fully Integrated Actively Quenched SPAD in 0.18µm CMOS Technology";
Vortrag: Austrochip,
Wien;
07.10.2020; in: "2020 Austrochip Workshop on Microelectronics",
(2020),
ISBN: 978-1-7281-8493-7;
4 S.
Kurzfassung englisch:
A fully integrated single- photon avalanche diode(SPAD)in a 180nm high voltage CMOS technology is presented. The introduced quenching circuit is realized by the 3.3V high voltage transistors of the process to increase the excess bias voltage Vex above the usual 1.8V supply voltage of the 180nm CMOS technology. Furthermore the circuit is cascoded to increase the excess bias even more up to 6.6V.
Schlagworte:
SPAD, optical receiver, CMOA, active quenching
"Offizielle" elektronische Version der Publikation (entsprechend ihrem Digital Object Identifier - DOI)
http://dx.doi.org/10.1109/Austrochip51129.2020.9232991
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.