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H. Arthaber:
"In-situ-Messung von Strom- und Spannungsverläufen in Mikrowellentransistoren";
TM - Technisches Messen, vol. 72, issue 4 (2005), 205 - 214.

Dieser Artikel stellt ein Messsystem vor, welches über indirekte Messung eine Echtzeitdarstellung von Strom und Spannung am aktiven Kanal eines nichtlinear betriebenen Mikrowellentransistors erlaubt. Zusätzlich ist es möglich, die Lastimpedanzen sowohl bei der Ausgangsfrequenz als auch bei den durch die Nichtlinearität entstehenden Oberwellen getrennt voneinander einzustellen. Um die Messung von Transistoren in hocheffizienten Betriebspunkten zu ermöglichen, ist eine nahezu perfekte Reflexion der Oberwellen erforderlich, welche mittels "aktiver Lasten" erzielt wird. Die Funktion des Aufbaus wird mit Messungen an einem pHEMT-Miktrowellentransistor gezeigt.

http://aleph.ub.tuwien.ac.at/F?base=tuw01&func=find-c&ccl_term=AC05935359