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H. Arthaber:
"In-situ Messung von Strom- und Spannungsverläufen in Mikrowellentransistoren";
Vortrag: Messtechnisches Symposium, Freiburg, Deutschland; 04.10.2004 - 06.10.2004; in: "XVIII. Messtechnisches Symposium des Arbeitkreises der Hochschullehrer für Messtechnik e.V.", Shaker Verlag, (2004), ISBN: 3-8322-3190-0; S. 87 - 103.

Dieser Artikel stellt ein Messsystem vor, welches über indirekte Messung eine Echtzeitdarstellung von Strom und Spannung am aktiven Kanal eines nichtlinear betriebenen Mikrowellenstransistors erlaubt. Zusätzlich ist es möglich, die Lastimpedanzen sowohl bei der Ausgangsfrequenz als auch bei den, durch die Nichtlinarität entstehenden Oberwellen getrennt voneinander einzustellen. Um weiters die Messung von Transistoren in hocheffizienten Betriebspunkten zu ermöglichen, ist eine nahezu perfekte Reflexion der Oberwellen durch die entsprechenden Lastimpedanzen erforderlich. Da dies -bedingt durch die immer vorhandenen Systemverluste - nicht mit passiven Elementen möglich ist, werden die Lastimpedanzen für die Oberwellen aktiv realisiert. Diese "aktiven Lasten" simulieren eine passive Last und erlauben gleichzeitig die perfekte Kompensation von Systemverlusten. Die Funktion des Aufbaus wird mit Messungen an einem pHEMT-Mikrowellentransistor gezeigt.

http://aleph.ub.tuwien.ac.at/F?base=tuw01&func=find-c&ccl_term=AC04967882