Zeitschriftenartikel:
M. Mayer:
"Messmethoden zur Charakterisierung von Mikrowellenleistungstransistoren";
E&I Elektrotechnik und Informationstechnik,
vol. 117
(2000),
S. 728
- 735.
Kurzfassung deutsch:
Zum treffsicheren Entwurf von Mikrowellenleistungsverstärkern ist es unumgänglich, das physikalische Verhalten der verwendeten Bauelemente möglichst genau und vollstänig zu kennen. Besonderes Augenmerk ist dabei auf das zentrale Element dieser Schaltungen, den Leistungstransistor, zu legen, der durch seine nichtlinearen Eigenschaften das Verhalten des endgültigen Verstärkers wesentlich beeinflusst. Dieser Artikel zeigt im Überblick aktuelle Methoden zur messtechnische Erfassung dieser Eigenschaften. Im Weiteren wird ein Messsystem vorgestellt, mit dem das Verhalten eines Leistungstransistors in einem Frequenzbereich von 30 kHz bis 8,7 GHz bei Biasströmen bis zu 7,5 A unter Berücksichtigung der Eigenerwärmung ermittelt werden kann.
Kurzfassung englisch:
Methods of measurement for characterization of microwave power transistors. For first try designs of microwave power amplifiers it is necessary to know the entire physical behavior of the used components with high accuracy. The attention should be directed especially to the center component of these circuits, the power transistor, whose nonlinear characteristics have an essential impact on the behavior of the whole amplifier. This article gives an overview of current methods of measurement for microwave power transistor characterization. Furthermore a measurement system is presented, capable of characterizing microwave power transistors within a frequency range from 30 kHz to 8.7 GHz at bias current up to 7.5 A including self heating effects.
Erstellt aus der Publikationsdatenbank der Technischen Universität Wien.